Neste trabalho, descreve-se o processo e a caracterização da alumina (Al2O3) obtida através de oxidação de filmes finos de alumínio em acido nítrico a temperatura constante, seguido de sinterização a 650°C em ambiente de N2 ou Ar. As lâminas de silício de orientação cristalográfica <100> passaram por dois diferentes processos finais em sua limpeza química, imersão em ácido fluorídrico diluído (dHF) ou ácido sulfúrico (SPM).
A caracterização elétrica consiste em medidas de Capacitância x Tensão (CV) e Corrente x Tensão (IV), onde um dos parâmetros obtidos é a espessura equivalente (EOT) dos filmes de Al2O3 que varia de 2,3 a 4,3nm para os diferentes processos de limpeza e sinterizações da alumina. A caracterização física foi realizada através da técnica de Espectrometria de Rutherford (RBS), onde se obteve a espessura física da alumina (XRBS = 6,0–11,5nm) e sua permissividade (eAL2O3 = 10,5). Filmes finos de Al2O3 sinterizados em argônio ultra-puro têm melhor características elétricas.