Este trabalho consiste no projeto, simulação e fabricação de um microssensor de pressão baseado na tecnologia MEMS (Sistemas Micro-Eletro-Mecânicos). O microssensor de pressão, é baseado em piezoresitores difundidos sobre uma membrana de silício, obtida pelo processo de corrosão anisotrópica do silício em KOH (hidróxido de potássio). Utilizou-se o simulador de processos SimMEMS para a definição das máscaras e visualização das etapas de fabricação do microssensor, incluindo a corrosão anisotrópica do silício, e o simulador multifísico COMSOL® para verificar a distribuição do estresse mecânico total e posicionamento dos piezoresistores, o deslocamento axial da membrana e a resposta elétrica do microssensor entre a pressão atmosférica (~100 kPa) e 160 kPa.
Verificou-se que a deformação da membrana, em função da pressão aplicada, atinge valores máximos de 1,1 μm, em sua região central. Observou-se que a região próxima do início da membrana, na posição mediana de cada lado do quadrado que a define, representa os máximos de estresse mecânico, da ordem de
1,5.107 N/m2, onde o piezoresistor deve ser localizado. Verificou-se que a resposta do sensor varia linearmente com a pressão, com uma sensibilidade de 10 mV/Pa, coerente com o valor obtido experimentalmente e varia inversamente proporcional ao quadrado da espessura da membrana, aumentando uma ordem de grandeza.