Este trabalho teve como objetivo avaliar a possibilidade de obtenção de material compósito pela deposição por plasma e utilizando apenas um reagente, tetraetilortossilicato. Os filmes obtidos foram analisados por perfilometria, espectroscopias de infravermelho e Raman e microscopias óptica e eletrônica de varredura. Na melhor condição de deposição, os filmes apresentam taxa de deposição de até 20nm/min. Os espectros de infravermelho e Raman indicaram a presença da estrutura Si-O-Si envolta, provavelmente por SiOH e a existência de clusters de carbono, respectivamente. As microscopias confirmaram a obtenção de compósito, com os clusters do filme variando entre 1 e 5 micrometros. A existência de carbono em um filme fino pode ser útil no desenvolvimento de sensores.