Neste trabalho, foi estudada a etapa de sililação (incorporação de silício) em camadas de resistes espessos do tipo Novolac, e sua utilização em processos de litografia para a obtenção de estruturas com altas razões de aspecto (> 10:1). A etapa de sililação era feita usando-se uma solução química contendo uma mistura de 70% de xileno, 25% de PGMEA e 5% de HMCTS. A etapa de sililação do resiste espesso foi feita em três diferentes temperaturas (40°C, 60°C e 80°C), três diferentes tempos de imersão da amostra na solução (1, 2 e 4 minutos) e com dois métodos diferentes de deposição do resiste Novolac (com cura direto em 105°C e cura com rampa de aquecimento de 20°C a 105°C, com aumento da temperatura de 10 em 10°C, com tempo de estabilização de 2 minutos após o aumento da temperatura até se atingir 105°C). Após a sililação, as estruturas são submetidas a um processos de revelação seca usando um plasma de oxigênio, usando dois tipos de sistemas de revelação seca: um sistema do tipo RIE (Reactive Ion Etching) e um sistema do tipo ICP (Inductively Coupled Plasma). O perfil de profundidade de silício incorporado na camada de resiste, bem como o perfil final de incorporação, são caracterizados por: Retro- Espalhamento de Rutherford (Rutherford Backscattering — RBS), Transformada de Fourier por Infravermelho (Fourier Transform InfraRed Spectroscopy-FTIR), Microscopia eletrônica de varredura (Scanning Electron Microscopy-SEM) e o estudo da variação da transição vítrea do material (Tg - Glass Transition), essa variação foi medida pela variação do estresse mecanical do material. Portanto, este estudo mostrou que a incorporação de silício na no resiste novolac é uma técnica viável para o desenvolvimento de estruturas com altas razões de aspecto para aplicações em micromáquinas (MEMS).