Filmes de silício policristalino semi-isolante foram depositados através da reação química de óxido nitroso e silana, utilizando-se um reator de deposição química a vapor em pressão reduzida (LPCVD), na temperatura de 650 °C, pressões de 150, 200 e 300 mtorr e proporção gasosa de 0,3, 0,57 e 0,83. Os resultados de índice de refração e infravermelho demonstram a existência de um filme composto por óxido de silício e silício. Obtiveram-se valores de taxa de deposição superiores aos normalmente encontrados na literatura para a pressão de 300 mtorr, da ordem de 7 — 11nm/min, que é praticamente o dobro das outras pressões utilizadas neste trabalho.
Capacitores Metal — SIPOS — Semicondutor foram construídos para análise corrente-voltagem. O filme SIPOS apresenta baixa condutividade, na faixa de 10-9 e 10-11 (Ω.cm)-1, valor abaixo do esperado.